什麼裡面用二氧化矽?1、表面鈍化2、摻雜阻擋層,我來為大家科普一下關于什麼裡面用二氧化矽?以下内容希望對你有幫助!
1、表面鈍化
2、摻雜阻擋層
3、表面絕緣體
4、器件絕緣體
5、緩沖層
6、隔離層
作為選擇性摻雜的掩模:Si0₂的掩蔽作用是指,Si0₂膜能阻擋雜質(例如硼、磷、砷等)向半導體中擴散的能力。利用這一性質,在矽片表面就可以進行有選擇地擴散。同樣對于離子注人Si0₂,也可作為注人離子的阻擋層。
作為隔離層:集成電路中,器件與器件之間的隔離可以有PN結隔離和Si0₂,介質隔離。
Si0₂,介質隔離比PN結隔離的效果好,它采用一個厚的場氧化層來完成。
作為緩沖層:當Si₃N4 。直接沉積在Si襯底上時,界面存在極大的應力與極高的界面态密度,因此多采用Si3N4(原子晶體)。/Si0₂(二氧化矽),/Si(矽)結構,當進行場氧化時,Si0₂(二氧化矽),會有軟化現象。可以清除Si3N4和襯底Si之間的應力。
作為MQS器件的絕緣栅介質:在集成電路的特征尺寸越來越小的情況下,作為MQS結構中的栅介質的厚度也越來越小。此時Si0₂,作為器件的一個重要組成部分(如圖1所示),它的質量直接決定器件的多個電學參數。同樣Si0₂也可作為電容的介質材料。
作為絕緣層:在芯片集成度越來越高的情況下就需要多層金屬布線。它們之間需要用絕緣性能良好的介電材料加以隔離,Si0₂就能充當這種隔離材料。
作為保護器件和電路的鈍化層:在集成電路芯片制作完成後,為了防止機械性的損傷,或接觸含有水汽的環境太久而造成器件失效,通常在IC制造工藝結束後在表面沉積一層鈍化層,摻磷的Si02,薄膜常用作這一用途。
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